MODULO IGBT 180AMP . 1200V / INFINEON / TDB6HK180N16RR_B48
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MODULO IGBT 20AMP . 600V / MITSUBISHI ELEC. / PM20CSJ060
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MODULO IGBT 180AMP . 1600V / INFINEON / TDB6HK180N16RR

Módulo IGBT 1600V 180A / Infineon / TDB6HK180N16RR

✅ Tipo: Módulo IGBT de potencia – 6-pack (tres fases)
✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 180 A
✅ Diodos de rueda libre incorporados
✅ Encapsulado robusto con aislamiento galvánico
✅ Baja pérdida por conmutación y conducción
✅ Excelente rendimiento térmico y alta densidad de potencia
✅ Ideal para inversores trifásicos, control de motores industriales, variadores y tracción eléctrica
✅ Alta confiabilidad para operación continua en entornos exigentes
✅ Código original Infineon: TDB6HK180N16RR

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Características

Módulo IGBT 1600V 180A / Infineon / TDB6HK180N16RR

✅ Tipo: Módulo IGBT de potencia – 6-pack (tres fases)
✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 180 A
✅ Diodos de rueda libre incorporados
✅ Encapsulado robusto con aislamiento galvánico
✅ Baja pérdida por conmutación y conducción
✅ Excelente rendimiento térmico y alta densidad de potencia
✅ Ideal para inversores trifásicos, control de motores industriales, variadores y tracción eléctrica
✅ Alta confiabilidad para operación continua en entornos exigentes
✅ Código original Infineon: TDB6HK180N16RR

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✅ Modelo: IRKD250-20 ✅ Marca: IOR (International Rectifier) ✅ Tipo: Diodo rápido de potencia para aplicaciones industriales ✅ Corriente nominal (IF): 250 amperios ✅ Tensión inversa máxima (VRRM): 2000 voltios ✅ Encapsulado: Módulo robusto tipo industrial ✅ Velocidad de conmutación: Alta (diodo rápido)
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MODULO IGBT 100AMP . 600V / IXYS / IXGN60N6O

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MODULO IGBT 100AMP . 600V / IXYS / IXGN60N6O

✅ Tipo: IGBT de potencia discreto
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Alta velocidad de conmutación
✅ Baja caída de voltaje en conducción (V<sub>CE(sat)</sub>)
✅ Encapsulado TO-247 o módulo según variante
✅ Alta eficiencia energética
✅ Ideal para inversores, convertidores y fuentes SMPS
✅ Diseñado para aplicaciones de potencia media
✅ Código original IXYS: IXGN60N60

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MODULO IGBT 125AMP . 1600V / SEMIKRON / SKKT162/16E

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Módulo tiristor-diodo 1600V 125A / Semikron / SKKT162/16E

✅ Tipo: Módulo de potencia tiristor + diodo en antiparalelo
✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 125 A
✅ Diseño robusto para aplicaciones industriales exigentes
✅ Encapsulado aislado para montaje en disipador
✅ Baja caída de tensión directa
✅ Alta capacidad de conmutación y durabilidad
✅ Ideal para rectificadores controlados, control de motores y convertidores de potencia
✅ Fabricación de alta confiabilidad por Semikron
✅ Código original: SKKT162/16E

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MODULO IGBT 23AMP . 800V / INFINEON / FB10R06KL4G_B1

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Módulo IGBT 800V 23A / Infineon / FB10R06KL4G_B1

✅ Tipo: IPM (Intelligent Power Module) con IGBT integrado
✅ Tensión máxima: 800 V
✅ Corriente nominal: 23 A
✅ Tecnología TRENCHSTOP™ IGBT + diodos ultrarrápidos
✅ Driver de compuerta y protecciones internas integradas
✅ Encapsulado compacto con aislamiento galvánico
✅ Alta eficiencia de conmutación y bajo nivel de EMI
✅ Ideal para motores trifásicos, pequeños inversores y electrodomésticos industriales
✅ Montaje directo en PCB
✅ Código original Infineon: FB10R06KL4G_B1

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MODULO IGBT 305AMP . 1600V / SEMIKRON / SKKT 330 / 16 E

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Módulo IGBT 1600V 305A / Semikron / SKKT 330/16 E

✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 305 A
✅ Encapsulado aislado
✅ Montaje sobre disipador
✅ Configuración tiristor + diodo
✅ Alta capacidad de corriente
✅ Baja caída de tensión
✅ Uso industrial continuo
✅ Código: SKKT 330/16 E

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MODULO IGBT 30AMP . 1600V / INFINEON / BSM30GP60

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Módulo IGBT 1600V 30A / Infineon / BSM30GP60

✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 30 A
✅ Encapsulado con aislamiento galvánico
✅ Diodo antiparalelo integrado
✅ Baja caída de tensión V<sub>CE(sat)</sub>
✅ Alta eficiencia térmica y eléctrica
✅ Montaje sobre disipador
✅ Aplicación industrial y de potencia media
✅ Código: BSM30GP60