MODULO IGBT 200AMP . 1200V / INFINEON / FF200R12KE3_B2
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MODULO IGBT 210AMP . 1200V / SEMIKRON / SKIIP28ANB16V2
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MODULO IGBT 216AMP . 1600V / IXYS / MCD200-16IO1

Módulo IGBT 1600V 216A / IXYS / MCD200-16IO1

✅ Tipo: Módulo IGBT dual de potencia
✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 216 A (DC)
✅ Diodos antiparalelo integrados
✅ Encapsulado industrial con aislamiento galvánico
✅ Baja caída de tensión V<sub>CE(sat)</sub> y alta eficiencia
✅ Excelente rendimiento térmico y larga vida útil
✅ Ideal para inversores de potencia, tracción eléctrica, variadores industriales y sistemas de energía
✅ Alta confiabilidad para entornos industriales exigentes
✅ Código original IXYS: MCD200-16IO1

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Características

Módulo IGBT 1600V 216A / IXYS / MCD200-16IO1

✅ Tipo: Módulo IGBT dual de potencia
✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 216 A (DC)
✅ Diodos antiparalelo integrados
✅ Encapsulado industrial con aislamiento galvánico
✅ Baja caída de tensión V<sub>CE(sat)</sub> y alta eficiencia
✅ Excelente rendimiento térmico y larga vida útil
✅ Ideal para inversores de potencia, tracción eléctrica, variadores industriales y sistemas de energía
✅ Alta confiabilidad para entornos industriales exigentes
✅ Código original IXYS: MCD200-16IO1

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✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Baja pérdida de conmutación
✅ Alta densidad de potencia
✅ Encapsulado estándar EconoPack
✅ Excelente rendimiento térmico
✅ Ideal para VFDs, inversores solares y servo drives
✅ Alta fiabilidad para uso industrial continuo
✅ Código original Infineon: FP100R12KT4

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MODULO IGBT 100AMP . 600V / IXYS / IXGN60N6O

✅ Tipo: IGBT de potencia discreto
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Alta velocidad de conmutación
✅ Baja caída de voltaje en conducción (V<sub>CE(sat)</sub>)
✅ Encapsulado TO-247 o módulo según variante
✅ Alta eficiencia energética
✅ Ideal para inversores, convertidores y fuentes SMPS
✅ Diseñado para aplicaciones de potencia media
✅ Código original IXYS: IXGN60N60

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Módulo IGBT 1200V 300A / Infineon / FS300R12KE3-S1

✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 300 A
✅ Encapsulado: EconoDUAL™ 2
✅ Diodo antiparalelo incluido
✅ Alta densidad de potencia y eficiencia
✅ Excelente rendimiento térmico
✅ Diseñado para inversores, variadores y tracción eléctrica
✅ Montaje en riel disipador estándar
✅ Código original Infineon: FS300R12KE3-S1

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Módulo IGBT 1200V 200A / Infineon / FF200R12KE3_B2

✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 200 A
✅ Diodo antiparalelo incorporado
✅ Encapsulado EconoDUAL™ 2 con aislamiento galvánico
✅ Alta eficiencia de conmutación y baja pérdida por conducción
✅ Excelente gestión térmica para operación continua
✅ Ideal para inversores de potencia, tracción eléctrica, energías renovables y automatización industrial
✅ Alta confiabilidad para entornos exigentes
✅ Código original Infineon: FF200R12KE3_B2

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Módulo IGBT 1200V 25A / Danfoss / DP25F1200T101623

✅ Tipo: Módulo IGBT de potencia
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 25 A
✅ Tecnología con baja pérdida de conmutación y conducción
✅ Diodos antiparalelo integrados
✅ Alta eficiencia térmica y eléctrica
✅ Encapsulado compacto para montaje en disipador
✅ Diseñado para inversores, servo drives y automatización industrial
✅ Confiabilidad en operación continua en entornos exigentes
✅ Código original Danfoss: DP25F1200T101623

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✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 30 A
✅ Encapsulado con aislamiento galvánico
✅ Diodo antiparalelo integrado
✅ Baja caída de tensión V<sub>CE(sat)</sub>
✅ Alta eficiencia térmica y eléctrica
✅ Montaje sobre disipador
✅ Aplicación industrial y de potencia media
✅ Código: BSM30GP60