MODULO IGBT 150AMP . 1200V / INFINEON / FS150R12KT4_B11
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MODULO IGBT 150AMP . 600V / MITSUBISHI / CM150RX1-12A
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MODULO IGBT 150AMP . 1200V / MITSUBISHI ELEC. / CM150MXUDP-24T1

Módulo IGBT 1200V 150A / Mitsubishi Electric / CM150MXUDP-24T1

✅ Tipo: Módulo IGBT de potencia dual
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 150 A
✅ Diodo antiparalelo incorporado
✅ Baja caída de voltaje V<sub>CE(sat)</sub>
✅ Alta velocidad de conmutación
✅ Encapsulado aislado para montaje sobre disipador térmico
✅ Alta fiabilidad térmica y eléctrica en operación continua
✅ Ideal para inversores, UPS, variadores y sistemas de automatización industrial
✅ Código original Mitsubishi Electric: CM150MXUDP-24T1

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Características

Módulo IGBT 1200V 150A / Mitsubishi Electric / CM150MXUDP-24T1

✅ Tipo: Módulo IGBT de potencia dual
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 150 A
✅ Diodo antiparalelo incorporado
✅ Baja caída de voltaje V<sub>CE(sat)</sub>
✅ Alta velocidad de conmutación
✅ Encapsulado aislado para montaje sobre disipador térmico
✅ Alta fiabilidad térmica y eléctrica en operación continua
✅ Ideal para inversores, UPS, variadores y sistemas de automatización industrial
✅ Código original Mitsubishi Electric: CM150MXUDP-24T1

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✅ Tipo: IGBT de potencia en módulo inteligente (IPM)
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Integración de protección contra sobrecorriente y sobretemperatura
✅ Diseño compacto para sistemas de alta densidad
✅ Alta eficiencia en conmutación
✅ Confiabilidad para operación industrial continua
✅ Ideal para inversores, servo control y UPS
✅ Montaje directo a disipador térmico
✅ Código original Fuji: 7MBR100VZ060-50

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✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Tecnología EconoPACK™
✅ Baja pérdida de conducción y conmutación
✅ Alta densidad de potencia
✅ Excelente rendimiento térmico
✅ Alta fiabilidad en aplicaciones industriales
✅ Ideal para inversores, servo drives y fuentes conmutadas
✅ Código original Infineon: FS100R06KE3

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Módulo IGBT 600V 150A | Mitsubishi | CM150RX1-12A

✅ Tipo: IGBT de potencia en encapsulado dual
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 150 A
✅ Diodo de rueda libre incorporado
✅ Alta velocidad de conmutación
✅ Baja pérdida por conducción y conmutación
✅ Encapsulado aislado para montaje en disipador
✅ Alta confiabilidad y durabilidad para uso industrial continuo
✅ Ideal para variadores de frecuencia, inversores, fuentes conmutadas y controladores de motor
✅ Código original Mitsubishi: CM150RX1-12A

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Módulo IGBT 1200V 200A / Infineon / FF200R12KE3_B2

✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 200 A
✅ Diodo antiparalelo incorporado
✅ Encapsulado EconoDUAL™ 2 con aislamiento galvánico
✅ Alta eficiencia de conmutación y baja pérdida por conducción
✅ Excelente gestión térmica para operación continua
✅ Ideal para inversores de potencia, tracción eléctrica, energías renovables y automatización industrial
✅ Alta confiabilidad para entornos exigentes
✅ Código original Infineon: FF200R12KE3_B2

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✅ Tipo: Módulo IGBT – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 225 A
✅ Diodo antiparalelo integrado
✅ Encapsulado EconoDUAL™ 2 con aislamiento galvánico
✅ Alta eficiencia en conmutación y baja pérdida por conducción
✅ Excelente rendimiento térmico para operación continua
✅ Ideal para inversores de potencia, tracción eléctrica, energías renovables y automatización industrial
✅ Alta confiabilidad en entornos exigentes
✅ Código original Infineon: FF225R12ME4

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✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 30 A
✅ Encapsulado con aislamiento galvánico
✅ Diodo antiparalelo integrado
✅ Baja caída de tensión V<sub>CE(sat)</sub>
✅ Alta eficiencia térmica y eléctrica
✅ Montaje sobre disipador
✅ Aplicación industrial y de potencia media
✅ Código: BSM30GP60